- Danh mục
- Wassenaar – Danh mục hàng hóa và công nghệ lưỡng dụng – WA-LIST (25) 1
- Mục tương ứng của EU
- 3C001
a. Silic (Si);
b. Germani (Ge);
c. Silicon carbide (SiC);
d. "Hợp chất III/V" của gallium hoặc indium;
e. Gallium oxide (Ga2O3); hoặc
f. Kim cương.
Chú thích:
3C001.d. không kiểm soát "chất nền" có một hoặc nhiều lớp epitaxy loại P của GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP hoặc InGaAlP, không phụ thuộc vào thứ tự của các nguyên tố, trừ trường hợp lớp epitaxy loại P nằm giữa các lớp loại N.
b. Germani (Ge);
c. Silicon carbide (SiC);
d. "Hợp chất III/V" của gallium hoặc indium;
e. Gallium oxide (Ga2O3); hoặc
f. Kim cương.
Chú thích:
3C001.d. không kiểm soát "chất nền" có một hoặc nhiều lớp epitaxy loại P của GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP hoặc InGaAlP, không phụ thuộc vào thứ tự của các nguyên tố, trừ trường hợp lớp epitaxy loại P nằm giữa các lớp loại N.
Nguyên văn tiếng Anh
a. Silicon (Si);
b. Germanium (Ge);
c. Silicon Carbide (SiC);
d. "III/V compounds" of gallium or indium;
Note 3.C.1.d. does not apply to a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
e. Gallium Oxide (Ga₂O₃); or
f. Diamond.
b. Germanium (Ge);
c. Silicon Carbide (SiC);
d. "III/V compounds" of gallium or indium;
Note 3.C.1.d. does not apply to a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
e. Gallium Oxide (Ga₂O₃); or
f. Diamond.