- Danh mục
- Wassenaar – Danh mục hàng hóa và công nghệ lưỡng dụng – WA-LIST (25) 1
- Mục tương ứng của EU
- 3C002
a. Vật liệu cản quang được thiết kế cho quang khắc bán dẫn như sau:
1. Vật liệu cản quang dương được điều chỉnh (tối ưu hóa) để sử dụng ở bước sóng nhỏ hơn 193 nm nhưng bằng hoặc lớn hơn 15 nm;
2. Vật liệu cản quang được điều chỉnh (tối ưu hóa) để sử dụng ở bước sóng nhỏ hơn 15 nm nhưng lớn hơn 1 nm;
b. Tất cả các vật liệu cản quang được thiết kế để sử dụng với chùm điện tử hoặc chùm ion, có độ nhạy 0,01 μcoulomb/mm2 hoặc tốt hơn;
c. Không sử dụng;
d. Tất cả các vật liệu cản quang được tối ưu hóa cho công nghệ tạo ảnh bề mặt;
e. Tất cả các vật liệu cản quang được thiết kế hoặc được tối ưu hóa để sử dụng với thiết bị in khắc dập (imprint lithography) được quy định tại 3B001.f.2. sử dụng quy trình đóng rắn bằng nhiệt hoặc bằng ánh sáng.
1. Vật liệu cản quang dương được điều chỉnh (tối ưu hóa) để sử dụng ở bước sóng nhỏ hơn 193 nm nhưng bằng hoặc lớn hơn 15 nm;
2. Vật liệu cản quang được điều chỉnh (tối ưu hóa) để sử dụng ở bước sóng nhỏ hơn 15 nm nhưng lớn hơn 1 nm;
b. Tất cả các vật liệu cản quang được thiết kế để sử dụng với chùm điện tử hoặc chùm ion, có độ nhạy 0,01 μcoulomb/mm2 hoặc tốt hơn;
c. Không sử dụng;
d. Tất cả các vật liệu cản quang được tối ưu hóa cho công nghệ tạo ảnh bề mặt;
e. Tất cả các vật liệu cản quang được thiết kế hoặc được tối ưu hóa để sử dụng với thiết bị in khắc dập (imprint lithography) được quy định tại 3B001.f.2. sử dụng quy trình đóng rắn bằng nhiệt hoặc bằng ánh sáng.
Nguyên văn tiếng Anh
a. Resists designed for semiconductor lithography as follows:
1. Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
2. Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0.01 µcoulomb/mm² or better;
c. Not used since 2012
d. All resists optimised for surface imaging technologies;
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3.B.1.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
1. Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
2. Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0.01 µcoulomb/mm² or better;
c. Not used since 2012
d. All resists optimised for surface imaging technologies;
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3.B.1.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.