- Danh mục
- Wassenaar – Danh mục hàng hóa và công nghệ lưỡng dụng – WA-LIST (25) 1
- Mục tương ứng của EU
- 2B005
a. Thiết bị sản xuất lắng đọng hơi hóa học (CVD) có tất cả các đặc tính sau đây:
Lưu ý: XEM THÊM 2B105.
1. Quy trình được cải biến cho một trong các quy trình sau đây:
a. CVD xung;
b. Lắng đọng nhiệt với tạo mầm có kiểm soát (CNTD); hoặc
c. CVD tăng cường plasma hoặc hỗ trợ plasma; và
2. Có bất kỳ đặc tính nào sau đây:
a. Tích hợp phớt làm kín quay chân không cao (bằng hoặc nhỏ hơn 0,01 Pa); hoặc
b. Tích hợp chức năng kiểm soát độ dày lớp phủ tại chỗ;
b. Thiết bị sản xuất cấy ion có dòng chùm tia bằng hoặc lớn hơn 5 mA;
c. Thiết bị sản xuất lắng đọng hơi vật lý bằng chùm điện tử (EB-PVD) tích hợp hệ thống nguồn điện có định mức trên 80 kW và có bất kỳ đặc tính nào sau đây:
1. Hệ thống điều khiển mức bể lỏng bằng "laser" điều chỉnh chính xác tốc độ cấp phôi thỏi; hoặc
2. Bộ giám sát tốc độ điều khiển bằng máy tính hoạt động theo nguyên lý quang phát quang của các nguyên tử bị ion hóa trong dòng hơi bay hơi để điều khiển tốc độ lắng đọng của lớp phủ chứa hai nguyên tố trở lên;
d. Thiết bị sản xuất phun plasma có bất kỳ đặc tính nào sau đây:
1. Hoạt động trong môi trường khí quyển có kiểm soát ở áp suất giảm (bằng hoặc nhỏ hơn 10 kPa, đo ở phía trên và trong phạm vi 300 mm tính từ miệng ra của súng phun) trong buồng chân không có khả năng hút chân không xuống đến 0,01 Pa trước quá trình phun; hoặc
2. Tích hợp chức năng kiểm soát độ dày lớp phủ tại chỗ;
e. Thiết bị sản xuất lắng đọng phún xạ có khả năng đạt mật độ dòng bằng hoặc lớn hơn 0,1 mA/mm2 ở tốc độ lắng đọng bằng hoặc lớn hơn 15 μm/h;
f. Thiết bị sản xuất lắng đọng hồ quang catốt tích hợp lưới nam châm điện để điều khiển dẫn hướng điểm hồ quang trên catốt;
g. Thiết bị sản xuất mạ ion có khả năng đo tại chỗ bất kỳ thông số nào sau đây:
1. Độ dày lớp phủ trên chất nền và kiểm soát tốc độ; hoặc
2. Đặc tính quang học.
Chú thích:
2B005 không kiểm soát thiết bị lắng đọng hơi hóa học, hồ quang catốt, lắng đọng phún xạ, mạ ion hoặc cấy ion được thiết kế đặc biệt cho dụng cụ cắt hoặc dụng cụ gia công.
Lưu ý: XEM THÊM 2B105.
1. Quy trình được cải biến cho một trong các quy trình sau đây:
a. CVD xung;
b. Lắng đọng nhiệt với tạo mầm có kiểm soát (CNTD); hoặc
c. CVD tăng cường plasma hoặc hỗ trợ plasma; và
2. Có bất kỳ đặc tính nào sau đây:
a. Tích hợp phớt làm kín quay chân không cao (bằng hoặc nhỏ hơn 0,01 Pa); hoặc
b. Tích hợp chức năng kiểm soát độ dày lớp phủ tại chỗ;
b. Thiết bị sản xuất cấy ion có dòng chùm tia bằng hoặc lớn hơn 5 mA;
c. Thiết bị sản xuất lắng đọng hơi vật lý bằng chùm điện tử (EB-PVD) tích hợp hệ thống nguồn điện có định mức trên 80 kW và có bất kỳ đặc tính nào sau đây:
1. Hệ thống điều khiển mức bể lỏng bằng "laser" điều chỉnh chính xác tốc độ cấp phôi thỏi; hoặc
2. Bộ giám sát tốc độ điều khiển bằng máy tính hoạt động theo nguyên lý quang phát quang của các nguyên tử bị ion hóa trong dòng hơi bay hơi để điều khiển tốc độ lắng đọng của lớp phủ chứa hai nguyên tố trở lên;
d. Thiết bị sản xuất phun plasma có bất kỳ đặc tính nào sau đây:
1. Hoạt động trong môi trường khí quyển có kiểm soát ở áp suất giảm (bằng hoặc nhỏ hơn 10 kPa, đo ở phía trên và trong phạm vi 300 mm tính từ miệng ra của súng phun) trong buồng chân không có khả năng hút chân không xuống đến 0,01 Pa trước quá trình phun; hoặc
2. Tích hợp chức năng kiểm soát độ dày lớp phủ tại chỗ;
e. Thiết bị sản xuất lắng đọng phún xạ có khả năng đạt mật độ dòng bằng hoặc lớn hơn 0,1 mA/mm2 ở tốc độ lắng đọng bằng hoặc lớn hơn 15 μm/h;
f. Thiết bị sản xuất lắng đọng hồ quang catốt tích hợp lưới nam châm điện để điều khiển dẫn hướng điểm hồ quang trên catốt;
g. Thiết bị sản xuất mạ ion có khả năng đo tại chỗ bất kỳ thông số nào sau đây:
1. Độ dày lớp phủ trên chất nền và kiểm soát tốc độ; hoặc
2. Đặc tính quang học.
Chú thích:
2B005 không kiểm soát thiết bị lắng đọng hơi hóa học, hồ quang catốt, lắng đọng phún xạ, mạ ion hoặc cấy ion được thiết kế đặc biệt cho dụng cụ cắt hoặc dụng cụ gia công.
Nguyên văn tiếng Anh
a. Chemical Vapour Deposition (CVD) production equipment having all of the following:
1. A process modified for one of the following:
a. Pulsating CVD;
b. Controlled Nucleation Thermal Deposition (CNTD); or
c. Plasma enhanced or plasma assisted CVD; and
2. Having any of the following:
a. Incorporating high vacuum (equal to or less than 0.01 Pa) rotating seals; or
b. Incorporating in situ coating thickness control;
b. Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
c. Electron Beam-Physical Vapour Deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW and having any of the following:
1. A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or
2. A computer controlled rate monitor operating on the principle of photo-luminescence of the ionised atoms in the evaporant stream to control the deposition rate of a coating containing two or more elements;
d. Plasma spraying production equipment having any of the following:
1. Operating at reduced pressure controlled atmosphere (equal to or less than 10 kPa measured above and within 300 mm of the gun nozzle exit) in a vacuum chamber capable of evacuation down to 0.01 Pa prior to the spraying process; or
2. Incorporating in situ coating thickness control;
e. Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0.1 mA/mm² or higher at a deposition rate of 15 µm/h or more;
f. Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
g. Ion plating production equipment capable of in situ measurement of any of the following:
1. Coating thickness on the substrate and rate control; or
2. Optical characteristics.
Note 2.B.5.a., 2.B.5.b., 2.B.5.e., 2.B.5.f. and 2.B.5.g. do not apply to Chemical Vapour Deposition (CVD), cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment, specially designed for cutting or machining tools.
1. A process modified for one of the following:
a. Pulsating CVD;
b. Controlled Nucleation Thermal Deposition (CNTD); or
c. Plasma enhanced or plasma assisted CVD; and
2. Having any of the following:
a. Incorporating high vacuum (equal to or less than 0.01 Pa) rotating seals; or
b. Incorporating in situ coating thickness control;
b. Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
c. Electron Beam-Physical Vapour Deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW and having any of the following:
1. A liquid pool level "laser" control system which regulates precisely the ingots feed rate; or
2. A computer controlled rate monitor operating on the principle of photo-luminescence of the ionised atoms in the evaporant stream to control the deposition rate of a coating containing two or more elements;
d. Plasma spraying production equipment having any of the following:
1. Operating at reduced pressure controlled atmosphere (equal to or less than 10 kPa measured above and within 300 mm of the gun nozzle exit) in a vacuum chamber capable of evacuation down to 0.01 Pa prior to the spraying process; or
2. Incorporating in situ coating thickness control;
e. Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0.1 mA/mm² or higher at a deposition rate of 15 µm/h or more;
f. Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
g. Ion plating production equipment capable of in situ measurement of any of the following:
1. Coating thickness on the substrate and rate control; or
2. Optical characteristics.
Note 2.B.5.a., 2.B.5.b., 2.B.5.e., 2.B.5.f. and 2.B.5.g. do not apply to Chemical Vapour Deposition (CVD), cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment, specially designed for cutting or machining tools.